雄芯05號，嚴格的來說，這其實還算不上碳基芯片的第一代產品。
儘管目前已經可以做到小批量的生產了，並且通過了一係列的測試實驗，但這依舊改變不了它隻是‘實驗性’產品。
沒錯，雄芯05號隻是在碳基芯片的研發中，首批具備相對成熟性計算功能的實驗性產品，距離商業化的推出，還有很遙遠的路要走。
每平方毫米上集成1000萬顆碳基晶體管的芯片，彆說是放到2025年的現在了，就是放到十年前2015年，其實集成晶體管的數量也無法和矽基芯片相比。
2015年的時候，英特爾正式發布了第五代處理器，使用14n工藝，晶體管數量高達19億個。
而徐川手上的這枚碳基芯片，晶體管總數量才堪堪達到10億隻，距離英特爾第五代產品還相差了接近一倍的距離。
不過碳基芯片和矽基芯片本身就是兩個不同的產品，並不能完全一概而論。
以十億隻碳基晶體管數量構造的碳基芯片，就能夠在性能上對標甚至超過英特爾的五代處理器。
10億比19億，一半的晶體管數量，性能完全不輸，甚至在某些方麵還超過了。
這足以見得碳基芯片的優越性和發展潛力。
畢竟目前來說，碳基芯片還處於研發的狀態，無論是從設計軟件、指令集體係、芯片設計等環節，幾乎都是模仿矽基芯片而推衍的。
雖然理論上來說，碳基芯片和矽基芯片的差距並不大，矽基半導體能用的東西也幾乎都可以直接套到碳基半導體上。
但這兩終究是兩種不同的元素材料，怎麼可能百分百適配。
套用矽基芯片的設計應用到碳基芯片上目前也隻是無奈之舉而已，畢竟碳基芯片的研發是有史以來的頭一次。
在這一領域，他們已經走到了世界的前沿了。
簡單的來說，就是前麵已經沒有石頭可以供他們摸著過河了，後麵的路，都需要他們自己一點一點的摸索著前進。
如果是真正的碳基芯片，那麼相關的電路設計，架構等等都是需要以碳基半導體材料為基礎重新進行設計的。
現在，說句難聽的話，即便是可以使用的成品芯片，也隻是半成品而已。
如果等未來他們真正的依托碳基半導體材料開發和完善出來了一套配套的體係，做到了真正的碳基芯片
到時候整個行業就是他們說了算了，什麼英偉達、台積電、阿斯麥、英特爾、高通之類的矽基半導體公司，都得跪下來喊他們爸爸。
總而言之，雖然技術才剛剛起步，但雄芯05號的性能已經初步展現了碳基芯片的優越性。
無論是熱設計功耗30wtdp，還是主頻達到了58hz的頻率，都極大的展示了碳基芯片的潛力，這些都是矽基芯片遠遠無法比擬的。
簡單的介紹了一下雄芯05號的性能後，趙光貴從櫃子中再度取出來一枚碳基芯片。
看著呈放在保護盒中的樣品，他感慨著開口道：“目前來說，這枚碳基芯片已經具備了一定的商業化價值了。”
“隻不過無論是從設計還是製備方麵來說都還有著許多的不足。”
“比如碳基晶體管的雕刻加工，雖然說是28納米的工藝，但實際上中芯國際那邊使用的是65納米的氟化氬光刻機光刻機雕刻技術，疊加了多重曝光技術才做到28納米的。”
“也就是說，目前咱們碳基芯片的納米進程上限，依舊在一定程度上受到了光刻機的製約和影響。”
聽到這話，徐川有些好奇的問道：“但是我記得碳基芯片好像可以繞過光刻機？使用其他的雕刻手段來著？之前我有看過類似的論文來著。”
微微頓了頓，他接著道：“而且如果我沒記錯的話，之前你們通過實驗室製備‘osfet金屬氧化物半導體場效應晶體管’和‘jfet結型場效應管’好像也沒用光刻機吧？”
對於芯片製備相關的技術，他的確不是很了解，畢竟他並不是這一領域的研究人員。
不過星海研究院這邊在研究碳基芯片，他還是看過一些芯片領域的論文的。
比如碳基芯片的雕刻技術，電路圖的設計等等。
芯片芯片被譽為現代工業的掌上明珠，其製造過程涉及多個工藝步驟。
包括氧化光刻、離子注入、化學機械研磨、刻蝕、澱積、金屬化、清洗等。
而在這些工藝步驟中，光刻技術尤為重要，是芯片製備的核心工藝之一，占芯片製造成本的35以上
通常來說，芯片隻能通過光刻機生產的主要原因是光刻技術具有高分辨率、高效率和多層次製造的能力。
越是高端的芯片，對光刻機的要求也就越高。
目前全世界能夠生產低納米級彆光刻機的廠商，隻有風車國的阿斯麥asl公司。
這是光刻機領域的霸主，擁有極紫外（euv）光刻機技術，能夠生產最先進製程芯片的關鍵設備，被台積電、三星等芯片製造巨頭依賴，用於5納米及以下製程的芯片生產。
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