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臨近年尾，孫健有許多大事要處理，不會為終審法院的判決而長籲短歎，昨天接到魏建國的電話，8英寸晶圓和00nm製程工藝光刻機在bec研製成功！
雖然在10月底就接到好消息，研發工程已經到了尾聲，但真正接到確鑿的消息，孫健還是很高興的，當天就乘飛機來到京城，向全體研發人員表示祝賀，當場宣布公司拿出300萬元，按照貢獻大小，獎勵全體研發人員。
從6英寸晶圓、800nm製程工藝光刻機到8英寸晶圓、00nm製程工藝光刻機是一道大坎，bec投資了8億元，耗費了18個月！
一旦跨過，be、180nm製程工藝光刻機就相對容易一些。
因為鄧國輝院士領導的光刻機光源研究所經過三年多的努力，7月14日，研製成功全球第一台浸沒式193nm光刻機試驗機，波長達到134nm，突破了193nm波長極限的世界性難題，因所用的光學係統是委托carlzeiag生產的，沒有完全自主的知識產權，秘而不宣，等bec光刻機光學研究所研製的光學係統達到要求後，再申請公司發明專利。
從193nm乾式光刻機到193nm浸沒式光刻機，突破了193nm波長極限的世界性難題，是一種劃時代的光刻技術。
前世90年代末，隨著摩爾定律的繼續演進，光刻機製程工藝從130nm進入90nm，晶圓尺寸也從8英寸升級到1英寸，但大家都沒想到，半導體產業在193nm波長上卡了將近0年！
大家發現，乾式193nm光刻機的極限製程工藝是6nm，再往下就很難實現了，如何突破6nm，跨入40nm製程工藝，成為阻擋在所有半導體廠商麵前的攔路虎。
g兩大光刻機巨頭如今正在研製130nm製程工藝的光刻機，上麵還有90nm、6nm製程工藝的光刻機，還沒有碰到6nm製程工藝的極限！
bec所采用的光刻機光源是gmarf準分子激光器，為了掌握其核心技術，鄧國輝和錢富強率領光刻機光源研究技術人員丟掉對方的圖紙，重新研製了一遍，bec光刻機公司如今能生產滿足1um製程工藝、800nm製程工藝和00nm製程工藝的193nmarf準分子激光器，按照雙方當初簽訂的公司發明專利轉讓協定，這些準分子激光器隻能在bec光刻機上使用。
199年7月，錢富強晉升研究員，擔任光刻機光源研究所所長。
鄧國輝院長主持bec光刻機研究院的全盤工作。
bec能生產8英寸晶圓、00nm製程工藝的光刻機，雖然離g製程工藝的光刻機，還差30nm、0nm和180nm三道關口，但這一步跨出去是多麼的不易？
不親自參與其中，不知道研發過程中的艱難！
be製程工藝的半導體生產線隻是時間問題。
從1996年6月開始，bec投資8億元用於研發8英寸晶圓和00nm製程工藝光刻機，一晃就過去了18個月，由鄧國輝、歐陽明、陳偉長和夏季常等四位院士主持的這項係統性的研發工程終成正果。
光刻機自動化研究所早就準備好了滿足00nm製程工藝光刻機所需要的磁懸浮式雙工作台係統，這套係統是gca199年在bec提供的公司發明專利基礎上研發成功的，專利屬於bec。
夏季常院士帶領研究所科研人員又研製一遍，性能更加完善！又研製了一遍滿足30nm（也是gca研發成功）製程工藝光刻機所需要的磁懸浮式雙工作台係統。
1996年月，夏季常院士帶領光刻機自動化研究所率先研製成功滿足0nm製程工藝光刻機所需要的磁懸浮式雙工作台係統。
bec光刻機公司如今能生產能滿足各種製程工藝光刻機的磁懸浮式雙工作台係統，訂單生產。