蒸鍍艙的真空度達標後，許秋和莫文琳又回到實驗室，先按照正常的方法用束源爐加熱法蒸鍍了三氧化鉬。
之後等待束源爐溫度降低至100攝氏度以下，開始準備蒸鍍金屬電極。
平常蒸鍍厚膜金屬電極的時候，蒸鍍的速率並不是很重要，有的時候趕時間，還會直接用閃蒸的操作方式製備電極。
所謂閃蒸，突出一個字“閃”，就是直接用大電流，在不燒斷保險絲的前提下，把蒸鍍速率拉滿，嗖的一下就把膜給鍍好了。
對比一下，正常蒸金屬電極是大約1埃每秒，即0.1納米每秒的蒸鍍速率，蒸100納米需要大約17分鐘。
而閃蒸的速率可能會達到6埃每秒，甚至10埃每秒以上，直接幾分鐘就能搞定。
除了蒸的快，閃蒸還有另外一個優點，那就是蒸的厚，對靶材的利用率高。
尤其是平常在蒸鍍金的時候，因為金比較貴嘛，所以為了防止浪費，都是儘量少加金靶材，然後直接閃蒸的。
根據許秋的經驗，如果閃蒸把金全部蒸完，得到的金膜厚度是100納米的話，正常速率蒸鍍得到的厚度可能就隻有3050納米，差距還是非常大的。
凡事有利就有弊，閃蒸也是有缺點的，那就是會讓蒸鍍得到的薄膜變得不均勻。
舉一個不太形象的例子，可以把蒸鍍的過程想象下冰雹的過程，器件表麵想象成為泥土地麵，蒸鍍速率越快，冰雹顆粒越大，下落的速度越快，就更容易把地麵給砸出坑來。
對應在蒸鍍過程的體現，就是蒸鍍速率越快，靶材分子越會傾向於滲入有效層或者傳輸層薄膜中，從而形成不同位置厚薄不同的金屬電極。
當金屬電極的總厚度比較厚的時候，厚薄不均勻的影響不大，假設膜厚在100納米，厚度的偏差在10納米，最終得到的厚度分布也會是100±10納米，自然不會影響到電極的導電性能。
可如果厚度比較薄的時候，這個影響就明顯了，厚度是10±10納米，有些地方就直接斷路了。
因此，現在蒸鍍1納米的金，9納米的銀的雙層薄層電極，為了保證電極的連續性，不僅不能閃蒸，而且還要進一步壓低蒸鍍速率。
許秋計劃選用的蒸鍍速率是0.2埃每秒左右，和蒸鍍三氧化鉬傳輸層的速率相當，這樣蒸1納米的金，需要大約1分鐘，9納米的銀，大約需要7分半鐘，比平常蒸鍍的時間還要短。
理論合理，實踐開始。
許秋設置好金靶材的各項參數，包括密度、Z因數等，然後啟動電流加熱裝置，將電流輸出端調至金靶材的回路，同時向莫文琳吩咐道：
“莫文琳，你記錄一下實驗條件，剛剛三氧化鉬是565攝氏度，0.20.3埃每秒，膜厚是10納米。接下來的金、銀電極膜厚分彆為1納米和9納米，計劃蒸鍍速率是0.2埃每秒……”
“好的。”莫文琳點點頭，然後從蒸鍍手套箱頂上摸出一本實驗記錄本出來，開始記錄。
像這種大型儀器的使用都是需要記錄的，要是出現問題比較容易追責，當然，也不完全是為了追責，這樣做還能讓實驗人員不至於忘記之前的實驗條件。
尤其是不熟練的新人，如果忘記了實驗條件，旁邊還沒有老人可以請教，就可以自己翻一翻之前記錄的條件進行模仿。
許秋旋轉旋鈕，緩緩的加大電流強度，從0安培到5安培，再到10安培，然後到15安培。
在這個過程中，膜厚儀顯示的實時蒸鍍速率都是在±0.01埃每秒之間來回跳動，波動幅度不大。
這主要是因為金的密度比較大，在膜厚儀通過晶振片上的電信號換算蒸鍍速率時，密度是在分母上的，所以氣流擾動等造成的誤差就會變小。
在15安培的時候，許秋把電流穩定住，並停留了幾分鐘。
這一步是習慣使然，目的是預熱，把鎢絲和靶材的溫度先往上提一提。
在蒸鍍鋁的時候這一步非常有用，一方麵可以防止蒸鍍速率不受控製，另一方麵如果不進行預熱，可能會導致掛在螺旋狀的鎢絲上的鋁條掉落，甚至鎢絲直接熔斷，導致實驗失敗。
雖然蒸鍍金、銀的時候用的不是螺旋狀的鎢絲而是鎢簍，但小心一些總沒有壞處。
許秋繼續提高電流，直至17.5安培的時候，蒸鍍速率從±0.01埃每秒開始0.01、0.01的往上跳動，同時電流值也開始波動，表明金靶材已經開始熔化。
等了幾秒鐘，蒸鍍速率達到0.10埃每秒附近，漸漸穩定了下來。
許秋沒有猶豫，直接同時按下膜厚儀清零按鈕和樣品擋板按鈕，開始蒸鍍。
然後，他一隻手操作電流控製旋鈕，一隻手放在樣品擋板上，眼睛則時刻盯著蒸鍍速率和膜厚，打算隨時停止，畢竟要蒸鍍1納米的金，隻有10埃而已。
“許秋，不需要繼續提升蒸鍍速率嗎？剛才不是說要把速率調到0.2埃每秒嗎？”莫文琳好奇問道，她進課題組一個多月了，但從來沒有蒸鍍過金電極，平常接觸到的電極材料要麼是鋁，要麼是銀。